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研究发现，施行n型MoS2薄膜对TEA具有很高的灵敏度，检测限为0.1ppm，而p型MoS2器件对NO2有很快的响应。近年来，新版行政基于二维材料构筑而成的范德瓦尔斯p-n异质结构，及其在纳米电子器件中的应用，受到越来越多的关注。
【引言】传统的基于金属氧化物半导体（MOS）的气体传感器具有选择性差的缺陷，自然资源并且工作温度高，自然资源通常在200–400°C范围内，这会导致高功耗，降低传感器的寿命和耐久性。处罚裁量b）MoS2p-n结的相应光学图像。这一研究工作展示了一种全新的传感器构筑策略，违法为二维异质结的高性能低功耗室温气体传感器的简单制造和性能优化提供了一个良好范例。
破坏e）MoS2p-n结气体传感器在紫外光照射下对不同20ppm目标气体的气敏响应。耕地图2 p型MoS2气体传感器对NO2的性能研究a）传感器在室温下对10ppm各种气体的选择性。
顶格f）气体传感器在395nm紫外辐射下对5ppm二氧化氮的稳定性。
该工作采用化学气相沉积法（CVD）和W掺杂的过氧化钼溶胶-凝胶软化学合成，济南基准分别制备n型和p型MoS2薄膜，并通过后续转移法构筑了二维p-n结。为展现出手机与大屏的精彩互动形式，施行最新上市的一加3手机亮相于当贝市场的体验区。
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